IBM и Samsung объявили о прорыве в области полупроводниковых технологий

Нoвaя рaзрaбoткa брoсaeт вызoв трaдициoннoму дизaйну

Кoмпaнии IBM и Samsung Electronics сoвмeстнo oбъявили o прoрывe в рaзрaбoткe пoлупрoвoдникoвыx тexнoлoгий, oснoвaннoм нa использовании новой вертикальной транзисторной архитектуры, которая открывает тракт к масштабированию за пределы наноуровня и имеет заряд значительного снижения энергопотребления точно по сравнению с транзисторами FinFET.

Вера Мура, согласно которому намолот транзисторов в микросхемах примерно удваивается каждые две года, быстро приближается к тому, почто считается непреодолимым препятствием.

Исторически транзисторы проектировались неизвестно зачем, чтобы «лежать» на поверхности полупроводникового кристалла, быть этом электрический ток течёт в горизонтальном направлении. Новые транзисторы, получившие (про)звание Vertical Transport Field Effect Transistors, иль VTFET, формируются перпендикулярно поверхности кристалла, и электричество в них течёт вверх река вниз.

Процесс VTFET устраняет многие тернии на пути дальнейшему повышению производительности степени интеграции. Возлюбленный также касается контактов транзисторов, позволяя выцарапать больший ток с меньшими потерями энергии. В целом новая агрегат нацелена на двукратное корригировани производительности или на сужение энергопотребления на 85% по мнению сравнению с FinFET.

В пресс-релизе, посвящённом прорыву, установлено, что глобальный дефицит полупроводниковой продукции «подчеркнул нелестно важную роль инвестиций в исследования и разработки микросхем, а да важность микросхем во по всем статьям: от вычислений до бытовой техники, устройств лапа, транспортных систем и критически важных инфраструктур».

Проходка была выполнена специалистами комплекса Albany Nanotech Complex, который-нибудь назван «ведущей в мире экосистемой на исследований в области полупроводников, создающей велий поток инноваций, помогая удоволить потребности производства и ускорить увеличение мировой индустрии микросхем».

Категория: Телефония